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TPC6009-H数据手册Toshiba中文资料规格书

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厂商型号

TPC6009-H

功能描述

Power MOSFET (N-ch single 30V VDSS 60V)

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-6 18:28:00

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TPC6009-H规格书详情

描述 Description

Application Scope:Mobile equipments
Polarity:N-ch
Generation:U-MOSⅥ-H
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:马来西亚

特性 Features

Drain current ID 5.3 A
Power Dissipation PD 2.2 W
Drain-Source voltage VDSS 40 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V

技术参数

  • 型号:

    TPC6009-H

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 40V FET 5.3A 2.2W 225pF

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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