TPC6008-H数据手册Toshiba中文资料规格书
TPC6008-H规格书详情
描述 Description
Application Scope：Mobile equipments / Notebook PCs
Polarity：N-ch
Generation：U-MOSⅥ-H
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：马来西亚
特性 Features
Drain current ID 5.9 A
Power Dissipation PD 2.2 W
Drain-Source voltage VDSS 30 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V
技术参数
- 型号：
TPC6008-H
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 30V FET 5.9A 2.2W 232pF
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TOS |
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