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TP65H035WSQA

650V 35mΩ AEC-Q101 Qualified GaN FET in TO-247

The TP65H035WSQA 650V 35mΩ Gallium Nitride (GaN) FET is a normally-off device built using Transphorm’s Gen III platform. It combines state-of-the-art high voltage GaN HEMT and low voltage silicon MOSFET technologies—offering superior reliability and performance.\n\nThe device is also automotive qual

Transphorm

TP65H035WSQA

AEC-Q101 Qualified 650V GaN FET in TO-247 (source tab)

文件:1.77892 Mbytes 页数:12 Pages

TRANSPHORM

TP65H035WS

650V Cascode GaN FET in TO-247

文件:1.64203 Mbytes 页数:12 Pages

TRANSPHORM

TP805

WYC
DIP-4

WYC

TP806/TP805/TP807

WYC
DIP-4

WYC

技术参数

  • Rds(on)eff (mΩ) typ:

    35

  • Rds(on)eff (mΩ) max:

    41

  • Id (25°C) (A) max:

    47

  • Package:

    TO-247

  • Package Variation:

    Source

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Transphorm
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更多TP65H035WSQA供应商 更新时间2025-10-9 15:46:00