采用 TO-247 封装的 650V 15mΩ SuperGaN FET

TP65H015G5WS 650V 15mΩ 氮化镓 （GaN） FET 是使用我们的 GenV 平台构建的常闭器件。 它将最先进的高压 GaN HEMT 与低压硅 MOSFET 相结合，以提供卓越的可靠性和性能。\n\n瑞萨电子的 GaN 功率产品通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷，提供比硅更高的效率。\n\nTP65H015G5WS 采用行业标准的 3 引脚 TO-247 封装，具有通用源极封装配置。 • 符合 JEDEC 标准的 GaN 技术\n• 坚固的设计，定义\n• 宽栅极安全裕度\n• 增强的浪涌电流能力\n• 减少分频损耗\n• 提高功率密度\n• 总体降低系统成本\n• 在硬开关和软开关电路中实现更高的效率\n• GSD 引脚布局改善了高速设计\n• 符合 RoHS 标准和无卤素包装;

Renesas

瑞萨

650V 15mΩ SuperGaN® FET in TO-247, ‘The Lowest Ron Packaged GaN FET in the Market’

The TP65H015G5WS 650V 15mΩ Gallium Nitride (GaN) FET is a normally-off device built using Transphorm’s GenV platform. It combines a state-of-the-art high voltage GaN HEMT with a low voltage Silicon MOSFET to offer superior reliability and performance.\n\nTransphorm GaN offers improved efficiency ove

Transphorm

650V SuperGaN??FET in TO-247 (source tab)

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TRANSPHORM

DIP-4

WYC

上传：深圳市神舟芯电子科技有限公司

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