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TP5335K1	文件：434.9 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Advanced DMOS Technology These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedan 文件：434.9 Kbytes 页数：2 Pages	SUTEX	SUTEX
TP5335K1	文件：396.7 Kbytes Page：3 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：396.7 Kbytes 页数：3 Pages	SUTEX	SUTEX
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TP5335K1-G	文件：382.42 Kbytes Page：14 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET General Description The TP5335 is a low-threshold, Enhancement-mode (normally-off) transistor that utilizes an advanced vertical DMOS structure and a well-proven silicon gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors 文件：382.42 Kbytes 页数：14 Pages	Microchip 微芯科技	Microchip
TP5335K1-G-VAO	文件：382.42 Kbytes Page：14 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET General Description The TP5335 is a low-threshold, Enhancement-mode (normally-off) transistor that utilizes an advanced vertical DMOS structure and a well-proven silicon gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors 文件：382.42 Kbytes 页数：14 Pages	Microchip 微芯科技	Microchip
TP5335K1G	文件：737.51 Kbytes Page：12 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：737.51 Kbytes 页数：12 Pages	Microchip 微芯科技	Microchip
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详细参数

型号：
TP5335K1
功能描述：
MOSFET 350V 25Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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