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TP2510	文件：456.39 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Low Threshold DMOS Technology These low threshold enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertexs wellproven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the h 文件：456.39 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
TP2510N8	文件：456.39 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Low Threshold DMOS Technology These low threshold enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertexs wellproven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the h 文件：456.39 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
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TP2510	文件：553.01 Kbytes Page：5 Pages	Low Threshold P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FETs 文件：553.01 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TP2510_07	文件：553.01 Kbytes Page：5 Pages	Low Threshold P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FETs 文件：553.01 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TP2510N8-G	文件：553.01 Kbytes Page：5 Pages	Low Threshold P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FETs 文件：553.01 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
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TP2510	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET, P-Channel Enhancement-Mode, -100V, 3.5 Ohm This low threshold enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperat Low threshold (-2.4V max.) \nHigh input impedance \nLow input capacitance (125pF max.) \nFast switching speeds \nLow on-resistance \nFree from secondary breakdown \nLow input and output leakage;	Microchip 微芯科技	Microchip
TP2510N8	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs	Microchip 微芯科技	Microchip

详细参数

型号：
TP251
功能描述：
MOSFET 100V 3.5Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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