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TP2502N8	文件：455.3 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs LowThresholdDMOSTechnology Theselowthresholdenhancement-mode(normally-off)powertransistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertexswellprovensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwith	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
TP2502N8-G	文件：471.67 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FETs GeneralDescription Thislowthresholdenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swellprovensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinput	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip

详细参数

型号：
TP2502N8
功能描述：
MOSFET 20V 2Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多TP2502N8供应商更新时间2025-7-23 15:39:00

详细参数

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