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TP2104N3	文件：455.81 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs GeneralDescription Thislowthresholdenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighin	SUTEX Supertex, Inc
TP2104N3-G	文件：579.68 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FETs GeneralDescription Thislowthresholdenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighin	SUTEX Supertex, Inc
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TP2104N3

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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

GeneralDescription Thislowthresholdenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighin

SUTEX

Supertex, Inc

TP2104N3-G

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P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FETs

SUTEX

Supertex, Inc

TP2104N3-G

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P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FETs

SUTEX

Supertex, Inc

详细参数

型号：
TP2104N3
功能描述：
MOSFET 40V 6Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多TP2104N3供应商更新时间2024-4-25 17:30:00

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