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TN5335K1	文件：444.74 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs LowThresholdDMOSTechnology Theselowthresholdenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertexswell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththe	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
TN5335K1-G	文件：684.25 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET GeneralDescription Thislowthreshold,enhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-proven,silicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandthehighinputi	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
MIM-5335K1F	文件：105.51 Kbytes Page：6 Pages	INFRAREDRECEIVERMODULE Description TheMIM-5xx5K1Fisminiaturizedinfraredreceiversforremotecontrolandotherapplicationsrequiringimprovedambientlightrejection. TheseparatePINdiodeandpreamplifierICareassembledonasingleleadframe. TheepoxypackagecontainsaspecialIRfilter. Thismodulehase	UOTUnity Opto Technology 东贝光电东贝光电科技股份有限公司	UOT
TP5335K1	文件：396.7 Kbytes Page：3 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
TP5335K1	文件：434.9 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedan	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
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TP5335K1-G	文件：382.42 Kbytes Page：14 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET GeneralDescription TheTP5335isalow-threshold,Enhancement-mode (normally-off)transistorthatutilizesanadvanced verticalDMOSstructureandawell-provensilicongate manufacturingprocess.Thiscombinationproducesa devicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolar transistors	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
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TP5335K1-G-VAO	文件：382.42 Kbytes Page：14 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET GeneralDescription TheTP5335isalow-threshold,Enhancement-mode (normally-off)transistorthatutilizesanadvanced verticalDMOSstructureandawell-provensilicongate manufacturingprocess.Thiscombinationproducesa devicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolar transistors	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip

详细参数

型号：
TN5335K1
功能描述：
MOSFET 350V 15Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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