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TN5015H-6G	文件：423.97 Kbytes Page：9 Pages	High temperature 50 A SCRs Features Highjunctiontemperature:Tj=150°C HighnoiseimmunitydV/dt=500V/μsupto150°C GatetriggeringcurrentIGT=15mA Peakoff-statevoltageVDRM/VRRM=600V Highturn-oncurrentrisedI/dt=100A/μs ECOPACK®2compliantcomponent Description Thankstoitsju	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TN5015H-6G-TR	文件：423.97 Kbytes Page：9 Pages	High temperature 50 A SCRs Features Highjunctiontemperature:Tj=150°C HighnoiseimmunitydV/dt=500V/μsupto150°C GatetriggeringcurrentIGT=15mA Peakoff-statevoltageVDRM/VRRM=600V Highturn-oncurrentrisedI/dt=100A/μs ECOPACK®2compliantcomponent Description Thankstoitsju	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TN5015H-6I	文件：386.27 Kbytes Page：13 Pages	High temperature 50 A SCRs Features •Highjunctiontemperature:Tj=150°C •HighnoiseimmunitydV/dt=500V/μsupto150°C •GatetriggeringcurrentIGT=15mA •Peakoff-statevoltageVDRM/VRRM=600V •Highturn-oncurrentrisedI/dt=100A/μs •ECOPACK®2compliant •InsulatedpackageTO-220AB: –Insulated	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TN5015H-6T	文件：404.87 Kbytes Page：9 Pages	High temperature 50 A SCRs Features Highjunctiontemperature:Tj=150°C Highnoiseimmunityupto150°C GatetriggeringcurrentIGT=15mA Peakoff-statevoltageVDRM/VRRM=600V Highturn-oncurrentrisedI/dt=100A/μs ECOPACK®2compliantcomponent Description Packagedinanon-isolatedTO-220	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TN5325	文件：63.34 Kbytes Page：1 Pages	RF AMPLIFIER MODEL Features ■LowNoiseFigure:2.0dBTypical ■HighOutputPower:+24dBmTypical ■OperatingTemp.-55ºCto+85ºC ■EnvironmentalScreeningAvailable	APITECH API Technologies Corp	APITECH
TN5325	文件：568.42 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET GeneralDescription Thislowthreshold,enhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-proven,silicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandthehighinputi	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
TN5325	文件：446.58 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedan	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
TN5325K1	文件：446.58 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedan	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
TN5325K1-G	文件：568.42 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET GeneralDescription Thislowthreshold,enhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-proven,silicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandthehighinputi	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
TN5325N3	文件：446.58 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedan	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX

产品属性

产品编号：
TN5015H-6G-TR
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶闸管 - SCR
包装：
散装
电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)：
493A，450A
SCR 类型：
标准恢复型
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D²PAK（TO-263）
描述：
SCR 600V 50A D2PAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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