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TN3019

Power Transistors

文件:50.69 Kbytes 页数:1 Pages

CENTRAL

TN3019

RF AMPLIFIER MODEL

文件:41.33 Kbytes 页数:1 Pages

APITECH

TN3019

RF Amplifier Chip

NJS

NJS

TN3019A

NPN General Purpose Amplifier

NPN General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 500 mA and collector voltages up to 80 V. Sourced from Process 12.

文件:101.21 Kbytes 页数:5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

TN3019A

NPN General Purpose Amplifier

文件:449.16 Kbytes 页数:10 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

TN3019A_00

NPN General Purpose Amplifier

文件:449.16 Kbytes 页数:10 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

TN3019A

NPN General Purpose Amplifier

ONSEMI

安森美半导体

TN3019A

Package:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 1A TO226-3

ONSEMI

安森美半导体

TN3019A_J05Z

Package:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 1A TO92-3

ONSEMI

安森美半导体

晶体管资料

  • 型号:

    TN3019

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    140V

  • 最大电流允许值:

    1A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    3DK104E,

  • 最大耗散功率:

    1.2W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-80

  • vtest:

    140

  • htest:

    999900

  • atest:

    1

  • wtest:

    1.2

技术参数

  • Number of Channels per Chip:

    1

  • Minimum Dual Supply Voltage:

    N/R

  • Maximum Supply Current:

    105(Typ)mA

  • Maximum Single Supply Voltage:

    18V

  • Maximum Reverse Isolation:

    21.5(Typ)@1300MHzdB

  • Maximum Output VSWR:

    1.5(Typ)

  • Maximum Operating Supply Voltage:

    18V

  • Maximum Operating Frequency Range:

    1000 to 1500MHz

  • Maximum Operating Frequency:

    1300MHz

  • Maximum Input VSWR:

    1.75(Typ)

  • Maximum Dual Supply Voltage:

    N/R

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更多TN3019供应商 更新时间2026-1-29 11:04:00