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TN3019A

NPN General Purpose Amplifier

NPN General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 500 mA and collector voltages up to 80 V. Sourced from Process 12.

文件:101.21 Kbytes 页数:5 Pages

Fairchild

仙童半导体

TN3019A

NPN General Purpose Amplifier

文件:449.16 Kbytes 页数:10 Pages

Fairchild

仙童半导体

TN3019A_00

NPN General Purpose Amplifier

文件:449.16 Kbytes 页数:10 Pages

Fairchild

仙童半导体

TN3019A

NPN General Purpose Amplifier

ONSEMI

安森美半导体

TN3019A

Package:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 1A TO226-3

ONSEMI

安森美半导体

TN3019A_J05Z

Package:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 1A TO92-3

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    TN3019A

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-226-3

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 1A TO226-3

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更多TN3019A供应商 更新时间2025-12-8 14:10:00