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TN2640K4	文件：461.12 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs LowThresholdDMOSTechnology Theselowthresholdenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertexswell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththe	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
TN2640K4	文件：1.28086 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
TN2640K4-G	文件：738.92 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs GeneralDescription Thislowthresholdenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinpu	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
TN2640K4-G	文件：1.18873 Mbytes Page：20 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features •2VMaximumLowThreshold •HighInputImpedance •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeeds •LowOn-Resistance •FreefromSecondaryBreakdown •LowInputandOutputLeakage Applications •Logic-LevelInterfaces(IdealforTTLandCMOS) •Solid-StateRelays •Battery-Ope	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
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详细参数

型号：
TN2640K4
功能描述：
MOSFET 400V 5Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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