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TN2106K1 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Advanced DMOS Technology These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input imped 文件：32.189 Kbytes 页数：4 Pages | SUTEX | SUTEX | |
TN2106K1 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs 文件：45.67 Kbytes 页数：4 Pages | SUTEX | SUTEX | |
TN2106K1 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs | Microchip 微芯科技 | Microchip | |
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：822.75 Kbytes 页数：14 Pages | MICROCHIP 微芯科技 | MICROCHIP | ||
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：550.85 Kbytes 页数：6 Pages | SUTEX | SUTEX |
详细参数
- 型号：
TN2106K1
- 功能描述：
MOSFET 60V 2.5Ohm
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
2500 |
自己现货 |
询价 | ||||
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23+ |
SOT-23 |
60000 |
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