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TN0702N3	文件：476.33 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Features ❏ Low threshold — 1.0 volt max ❏ On resistance guaranteed at VGS= 2, 3, and 5 volts ❏ High input impedance ❏ Low input capacitance —130pF typical ❏ Fast switching speeds ❏ Low on resistance ❏ Free from secondary breakdown ❏ Low input and output leakage Appl 文件：476.33 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0702N3	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs ❏ Low threshold\n— 1.0 volt max\n❏ On resistance guaranteed at VGS= 2, 3, and 5 volts\n❏ High input impedance\n❏ Low input capacitance —130pF typical\n❏ Fast switching speeds\n❏ Low on resistance\n❏ Free from secondary breakdown\n❏ Low input and output leakageApplications\n❏ Logic level interfaces\n;	Microchip 微芯科技	Microchip
TN0702N3-G	文件：631.12 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：631.12 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
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详细参数

型号：
TN0702N3
功能描述：
MOSFET 20V 1.3Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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