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TN0606N3-GP002

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

文件:631.35 Kbytes 页数:5 Pages

SUTEX

TN1215-600B-TR

ST
TO-252

ST

TN2540-800G-TR

ST
TO263

ST

TN3019A

FSC
DO-92

FSC

TN80C186EB20

INTEL(英特尔)

INTEL(英特尔)

上传:深圳市盈慧通电子有限公司

INTEL(英特尔)

详细参数

  • 型号:

    TN0606N3-GP002

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多TN0606N3-GP002供应商 更新时间2025-10-11 16:20:00