TMS570LC4357-EP Hercules??Microcontroller Based on the ARM짰 Cortex짰-R Core

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TMS570LC4357-EP Hercules??Microcontroller Based on the ARM짰 Cortex짰-R Core

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Hercules Microcontroller Based on the ARM짰 Cortex-R Core

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16/32 位 RISC 闪存 MCU，Arm Cortex-R5F，EMAC，FlexRay，通过 Q-100 车规认证

TMS570LC4357 器件属于 Hercules TMS570 系列的高性能汽车级基于 ARM® Cortex®-R 的 MCU。该器件配有完备的文档、工具和软件，可协助开发 ISO 26262 和 IEC 61508 功能安全 应用。目前，首先使用 Hercules TMS570LC43x LaunchPad 开发套件进行评估。TMS570LC4357 器件具有片上诊断 特性 ，具体包括：锁步中的双 CPU；针对 CPU、N2HET 协处理器以及片上 SRAM 的内置自检 (BIST) 逻辑；L1 缓存、L2 闪存和 SRAM 存储器上的 ECC 保护。此外，该器件还为外设存储器提供了 • 高性能汽车级微控制器，适用于安全关键型 应用 \n• 闪存和 RAM 接口上的 ECC\n• 带有错误引脚的错误信令模块 (ESM)\n• ARMCortex- R5F 32 位 RISC CPU \n• 单精度和双精度 FPU\n• 配有 32KB 的指令和 32KB 的数据缓存（支持 ECC）\n• 运行条件 \n• 内核电源电压(VCC)：1.14V 至 1.32V\n• 集成存储器 \n• KB512KBKB 的 RAM（支持 ECC）\n• 16 位外部存储器接口 (EMIF)\n• 系列间一致的存储器映射\n• 2 个具有向量表 ECC 保护的 128 通道向量中断模块 (VI;

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TMS570LC4357-SEP Hercules™ Microcontroller Based on the Arm® Cortex®-R Core in Space Enhanced Plastics

1 Features • VID - V62/18621 • Radiation Hardened – Single Event Latch-up (SEL) Immune to 43MeV-cm2/mg at 125°C – Total Ionizing Dose (TID) RLAT for Every Wafer Lot up to 30krad (Si) • Space Enhanced Plastic – Controlled Baseline – Gold Au wire – One Assembly/Test Site – One Fabrication

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TMS570LC4357-SEP Hercules™ Microcontroller Based on the Arm® Cortex®-R Core in Space Enhanced Plastics

1 Features • VID - V62/18621 • Radiation Hardened – Single Event Latch-up (SEL) Immune to 43MeV-cm2/mg at 125°C – Total Ionizing Dose (TID) RLAT for Every Wafer Lot up to 30krad (Si) • Space Enhanced Plastic – Controlled Baseline – Gold Au wire – One Assembly/Test Site – One Fabrication

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1 Features • VID - V62/18621 • Radiation Hardened – Single Event Latch-up (SEL) Immune to 43MeV-cm2/mg at 125°C – Total Ionizing Dose (TID) RLAT for Every Wafer Lot up to 30krad (Si) • Space Enhanced Plastic – Controlled Baseline – Gold Au wire – One Assembly/Test Site – One Fabrication

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