TMR线性传感器

TMR2003采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传敏方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2003性能优越，采用SOT23-5（3mm×3mm×1.45mm）封装形式 。 （1）隧道磁电阻(TMR)技术\n（2）高灵敏度\n（3）宽动态范围\n（4）低功耗\n（5）优越的温度稳定性;

MDT

多维

TMR Linear Sensor

General Description The TMR2003 linear sensor utilizes a unique push-pull Wheatstone bridge composed of four TMR sensor elements. The TMR2003 is available in a 3 mm X 3 mm X 1.45 mm SOT23-5 package. Features and Benefits  Tunneling Magneto resistance (TMR) Technology  High Sensitivity 

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MULTIDIMENSION

多维科技

Magnetic Tunnelling Magnetoresistive (TMR) Linear Sensors

AECI

40-V 7-Ch Low-side Driver Array

Features • 7-channel Darlington Array • 500-mA Rated Drain Current (Per Channel) • Very Low Output Leakage

文件：2.01085 Mbytes 页数：16 Pages

3PEAK

思瑞浦

Dual Channel, Current-Limited, Power-Distribution Switches

文件：1.9466 Mbytes 页数：25 Pages

TI

德州仪器

Dual Channel, Current-Limited, Power-Distribution Switches

文件：1.9466 Mbytes 页数：25 Pages

TI

德州仪器