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KSM4N80	文件：1.92391 Mbytes Page：7 Pages	800VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMB4N80	文件：734.8 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF4N80	文件：1.91068 Mbytes Page：7 Pages	800VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MTB4N80E	文件：195.74 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET4.0AMPERES800VOLTS TMOSE-FETHighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithh	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP4N80	文件：159.11 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET4.0AMPERES800VOLTSRDS(on)=3.0OHM TMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistorN-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSPOWERFET4.0AMPERES800VOLTSRDS(on)=3.0OHM ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Ina	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP4N80E	文件：115.01 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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MTP4N80E	文件：301.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTW4N80	文件：70.17 Kbytes Page：2 Pages	TMOSE-FETPOWERFIELDEFFECTTRANSISITORN-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATE	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTW4N80E	文件：70.17 Kbytes Page：2 Pages	TMOSE-FETPOWERFIELDEFFECTTRANSISITORN-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATE	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

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