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MTW4N80	文件：70.17 Kbytes Page：2 Pages	TMOS E-FET POWER FIELD EFFECT TRANSISITOR N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE 文件：70.17 Kbytes 页数：2 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MTW4N80E	文件：322.41 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：322.41 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MTW4N80E	文件：70.17 Kbytes Page：2 Pages	TMOS E-FET POWER FIELD EFFECT TRANSISITOR N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE 文件：70.17 Kbytes 页数：2 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MTW4N80E	文件：300 bytes Page：1 Pages	TMOS E-FET POWER FIELD EFFECT TRANSISITOR N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE	恩XP	恩XP

型号：
MTW4N80
制造商：
MOTOROLA
制造商全称：
Motorola, Inc
功能描述：
TMOS E-FET POWER FIELD EFFECT TRANSISITOR N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE

更多MTW4N80供应商更新时间2025-10-30 14:02:00