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TMA12N65H	文件：1.06614 Mbytes Page：8 Pages	丝印：A12N65H；Package：TO-220F；650V N-Channel MOSFET 文件：1.06614 Mbytes 页数：8 Pages	WUMC 紫光国微	WUMC
TMA12N65H	文件：300 bytes Page：1 Pages	VD MOS	紫光国微
TMP12N65H	文件：1.06614 Mbytes Page：8 Pages	650V N-Channel MOSFET 文件：1.06614 Mbytes 页数：8 Pages	WUMC 紫光国微	WUMC
TRS12N65D	文件：163.3 Kbytes Page：5 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：163.3 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TRS12N65FB	文件：305.49 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：305.49 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

ID(A)：
12
RDS(on)-typ(Ω)：
0.55
RDS(on)-max(Ω)：
0.68
V(GS)th-min(V)：
3
V(GS)th-max(V)：
4
Ciss(pF)：
1540
Qg(nC)：
44
Package：
TO-220F

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