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TRS12N65D	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC Schottky barrier diode Application Scope：Power factor correction / Solar inverters / Uninterruptible power supplies / DC-DC converters\nNumber of Circuits：2\nInternal Connection：Common cathode\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中国 Forward DC current IF(DC) 12 A \nRepetitive Peak Reverse Voltage VRRM 650 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
TRS12N65D	文件：163.3 Kbytes Page：5 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：163.3 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TRS12N65D,S1F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
TRS12N65FB	文件：305.49 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：305.49 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TSM12N65	文件：474.32 Kbytes Page：8 Pages	650V N-Channel Power MOSFET 文件：474.32 Kbytes 页数：8 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM12N65	文件：844.62 Kbytes Page：8 Pages	650V N-Channel Power MOSFET 文件：844.62 Kbytes 页数：8 Pages	TSC 台湾半导体	TSC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TRS12N65D供应商更新时间2025-10-6 11:00:00