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TMA10N65H	文件：1.048089 Mbytes Page：8 Pages	丝印：A10N65H；Package：TO-220F；650V N-Channel MOSFET 文件：1.048089 Mbytes 页数：8 Pages	WUMC 紫光国微	WUMC
TMA10N65H	文件：300 bytes Page：1 Pages	VD MOS	紫光国微
TMP10N65H	文件：1.048089 Mbytes Page：8 Pages	650V N-Channel MOSFET 文件：1.048089 Mbytes 页数：8 Pages	WUMC 紫光国微	WUMC
TSF10N65M	文件：1.10923 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：1.10923 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TSF10N65M	文件：1.30874 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.30874 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER

技术参数

ID(A)：
10
RDS(on)-typ(Ω)：
0.65
RDS(on)-max(Ω)：
0.8
V(GS)th-min(V)：
3
V(GS)th-max(V)：
4
Ciss(pF)：
1260
Qg(nC)：
35
Package：
TO-220F

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TMA10N65H供应商更新时间2026-2-3 9:09:00

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