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TMP10N65H

丝印:P10N65H;Package:TO-220;650V N-Channel MOSFET

文件:1.048089 Mbytes 页数:8 Pages

WUMC

紫光国微

TMP10N65H

VD MOS

紫光国微

TSF10N65M

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:1.10923 Mbytes 页数:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

TSF10N65M

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.30874 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

TSP10N65M

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:1.10765 Mbytes 页数:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

技术参数

  • ID(A):

    10

  • RDS(on)-typ(Ω):

    0.65

  • RDS(on)-max(Ω):

    0.8

  • V(GS)th-min(V):

    3

  • V(GS)th-max(V):

    4

  • Ciss(pF):

    1260

  • Qg(nC):

    35

  • Package:

    TO-220

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
GUOXINMICRO
19+
TO-220
1000
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更多TMP10N65H供应商 更新时间2025-10-27 12:19:00