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UPA854TD	文件：351.49 Kbytes Page：35 Pages	NPNSILICONRFTWINTRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINLEAD-LESSMINIMOLD FEATURES •Lowvoltageoperation •2differentbuilt-intransistors(2SC5435,2SC5745) Q1:Highgaintransistor fT=12.0GHzTYP.,½S21e½2=8.5dBTYP.@VCE=3V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Lowphasedi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NPNSILICONRFTWINTRANSISTOR

NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINLEAD-LESSMINIMOLD FEATURES •Lowvoltageoperation •2differentbuilt-intransistors(2SC5435,2SC5745) Q1:Highgaintransistor fT=12.0GHzTYP.,½S21e½2=8.5dBTYP.@VCE=3V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Lowphasedi

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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