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UPA2781GR	文件：291.13 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2781GRisN-channelPowerMOSFET,whichbuilta SchottkyBarrierDiodeinside. ThisproductisdesignedforsynchronousDC/DCconverter application. FEATURES •BuiltaSchottkyBarrierDiode •Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.6mΩTYP.(VGS=10V,ID=7A) RDS(on)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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