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TLV2316-Q1数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

TLV2316-Q1

功能描述

Automotive-grade, dual, 5.5-V, 10-MHz, RRIO operational amplifier

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 15:01:00

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TLV2316-Q1规格书详情

描述 Description

TLV316-Q1(单路)、TLV2316-Q1(双路)和 TLV4316-Q1(四路)器件构成了低功耗通用运算放大器系列。该器件系列将轨至轨 输入和输出摆幅、低静态电流(每通道的典型值为 400µA)等特性与 10MHz 的较宽带宽和超低噪声(1kHz 时为 12nV/√Hz)相结合,因此适用于要求兼具快速特性与良好功率比的电路。低输入偏置电流支持在 源阻抗高达兆欧级的 的应用。TLVx316-Q1 的低输入偏置电流产生的电流噪声极低,该器件系列因此备受高阻抗传感器接口的青睐。

TLVx316-Q1 采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定的集成 RFI 和 EMI 抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相,并且具有高静电放电 (ESD) 保护 (4kV HBM)。

此类器件经过优化,适合在 1.8V (±0.9V) 至 5.5V (±2.75V) 的低电压状态下工作。产品组合中最新补充的这款低压 CMOS 运算放大器与 TLVx313-Q1 和 TLVx314-Q1 系列相结合,为用户提供了广泛的带宽、噪声和功率选项,可以满足各种应用的 需求提供了灵活性和便利性。

特性 Features

• 符合汽车应用 要求
• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:
• 器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围
• 器件人体放电模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 3A
• 带电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C5

• 单位增益带宽:10MHz
• 低 IQ:每通道 400µA
• 出色的功率带宽比
• 在温度和电源电压范围内保持稳定的 IQ

• 宽电源电压范围:1.8V 至 5.5V
• 低噪声:1kHz 时为 12nV/√Hz
• 低输入偏置电流:±10pA
• 偏移电压:±0.75mV
• 单位增益稳定
• 内部射频干扰 (RFI) 和电磁干扰 (EMI) 滤波器
• 通道数量:
• TLV316-Q1:1
• TLV2316-Q1:2
• TLV4316-Q1:4

• 扩展温度范围:-40°C 至 +125°C

技术参数

  • 制造商编号

    :TLV2316-Q1

  • 生产厂家

    :TI

  • Rail-to-rail

    :In

  • GBW (Typ) (MHz)

    :10

  • Slew rate (Typ) (V/us)

    :6

  • Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)

    :3

  • Iq per channel (Typ) (mA)

    :0.4

  • Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)

    :12

  • Rating

    :Automotive

  • Operating temperature range (C)

    :-40 to 125

  • Offset drift (Typ) (uV/C)

    :2

  • Features

    :Cost Optimized

  • CMRR (Typ) (dB)

    :90

  • Output current (Typ) (mA)

    :50

  • Architecture

    :CMOS

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