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TLV2314-Q1数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

TLV2314-Q1

功能描述

Automotive-grade, dual, 5.5-V, 3-MHz, RRIO operational amplifier

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 15:04:00

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TLV2314-Q1规格书详情

描述 Description

TLVx314-Q1 系列单通道、双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗、通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出 (RRIO) 摆幅、低静态电流(5V 时典型值为 150µA)、3MHz 高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型 应用 。TLVx314-Q1 系列可实现 1pA 低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。

TLVx314-Q1 器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性、支持轨到轨输入和输出 (RRIO)、容性负载高达 300PF,集成 RF 和 EMI 抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电 (ESD) 保护(4kV 人体模型 (HBM))。

此类器件经过优化,适合在 1.8V (±0.9V) 至 5.5V (±2.75V) 的低电压状态下工作并可在 -40°C 至 +125°C 的扩展工业温度范围内额定运行。

TLV314-Q1(单通道)采用 5 引脚 SC70 和小外形尺寸晶体管 (SOT)-23 封装。TLV2314-Q1(双通道版本)采用 8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 封装和超薄小外形尺寸 (VSSOP) 封装。四通道 TLV4314-Q1 采用 14 引脚薄型小外形尺寸 (TSSOP) 封装。

特性 Features

• 符合汽车类应用的 要求
• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:
• 器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围
• 器件 HBM ESD 分类等级 3A
• 器件 CDM ESD 分类等级 C6

• 低偏移电压:0.75mV(典型值)
• 低输入偏置电流:1pA(典型值)
• 宽电源电压范围:1.8V 至 5.5V
• 轨到轨输入和输出
• 增益带宽:3MHz
• 低 IQ:每通道 250µA(最大值)
• 低噪声:1kHz 时为 16nV/√Hz
• 内部射频 (RF) 和电磁干扰 (EMI) 滤波器
• 通道数量:
• TLV314-Q1:1
• TLV2314-Q1:2
• TLV4314-Q1:4

• 扩展温度范围:-40°C 至 +125°C

技术参数

  • 制造商编号

    :TLV2314-Q1

  • 生产厂家

    :TI

  • Rail-to-rail

    :In

  • GBW (Typ) (MHz)

    :3

  • Slew rate (Typ) (V/us)

    :1.5

  • Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)

    :3

  • Iq per channel (Typ) (mA)

    :0.15

  • Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)

    :16

  • Rating

    :Automotive

  • Operating temperature range (C)

    :-40 to 125

  • Offset drift (Typ) (uV/C)

    :2

  • Features

    :Cost Optimized

  • CMRR (Typ) (dB)

    :96

  • Output current (Typ) (mA)

    :20

  • Architecture

    :CMOS

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