TLV2314-Q1

Automotive-grade, dual, 5.5-V, 3-MHz, RRIO operational amplifier; • 符合汽车类应用的 要求\n• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果： \n• 器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围\n• 器件 HBM ESD 分类等级 3A\n• 器件 CDM ESD 分类等级 C6\n \n• 低偏移电压：0.75mV（典型值）\n• 低输入偏置电流：1pA（典型值）\n• 宽电源电压范围：1.8V 至 5.5V\n• 轨到轨输入和输出\n• 增益带宽：3MHz\n• 低 IQ：每通道 250µA（最大值）\n• 低噪声：1kHz 时为 16nV/√Hz\n• 内部射频 (RF) 和电磁干扰 (EMI) 滤波器\n• 通道数量： \n• TLV314-Q1：1 \n• TLV2314-Q1：2\n• TLV4314-Q1：4\n \n• 扩展温度范围：-40°C 至 +125°C;

TLVx314-Q1 系列单通道、双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗、通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出 (RRIO) 摆幅、低静态电流（5V 时典型值为 150µA）、3MHz 高带宽等特性，非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型 应用 。TLVx314-Q1 系列可实现 1pA 低输入偏置电流，是高阻抗传感器的理想选择。\n\nTLVx314-Q1 器件采用稳健耐用的设计，方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性、支持轨到轨输入和输出 (RRIO)、容性负载高达 300PF，集成 RF 和 EMI 抑制滤波器，在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电 (ESD) 保护（4kV 人体模型 (HBM)）。\n\n此类器件经过优化，适合在 1.8V (±0.9V) 至 5.5V (±2.75V) 的低电压状态下工作并可在 -40°C 至 +125°C 的扩展工业温度范围内额定运行。\n\nTLV314-Q1（单通道）采用 5 引脚 SC70 和小外形尺寸晶体管 (SOT)-23 封装。TLV2314-Q1（双通道版本）采用 8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 封装和超薄小外形尺寸 (VSSOP) 封装。四通道 TLV4314-Q1 采用 14 引脚薄型小外形尺寸 (TSSOP) 封装。

TLV2314-Q1

3-MHz, Low-Power, Internal EMI Filter, RRIO, Operational Amplifier

TLV2314-Q1

3-MHz, Low-Power, Internal EMI Filter, RRIO, Operational Amplifier

TLV2314-Q1

3-MHz, Low-Power, Internal EMI Filter, RRIO, Operational Amplifier

OPA2314-Q1

3-MHz,Low-Power,Low-Noise,RRIO,1.8-VCMOSOperationalAmplifier

OPA2314-Q1

3-MHz,Low-Power,Low-Noise,RRIO,1.8-VCMOSOperationalAmplifier