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TLV2314IDGKRG4	文件：1.49976 Mbytes Page：41 Pages	TLVx314 3-MHz, Low-Power, Internal EMI Filter, RRIO, Operational Amplifier 1 Features 1. Low Offset Voltage: 0.75 mV (typ) . Low Input Bias Current: 1 pA (typ) . Wide Supply Range: 1.8 V to 5.5 V . Rail-to-Rail Input and Output . Gain Bandwidth: 3 MHz . Low IQ: 250 μA/Ch (max) . Low Noise: 16 nV/√Hz at 1 kHz . Internal RF/EMI Filter . Extended Temperature Range: 文件：1.49976 Mbytes 页数：41 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV2314IDGKRG4	文件：1.49977 Mbytes Page：41 Pages	TLVx314 3-MHz, Low-Power, Internal EMI Filter, RRIO, Operational Amplifier 1 Features 1• Low Offset Voltage: 0.75 mV (typ) • Low Input Bias Current: 1 pA (typ) • Wide Supply Range: 1.8 V to 5.5 V • Rail-to-Rail Input and Output • Gain Bandwidth: 3 MHz • Low IQ: 250 μA/Ch (max) • Low Noise: 16 nV/√Hz at 1 kHz • Internal RF/EMI Filter • Extended Temperature Range: 文件：1.49977 Mbytes 页数：41 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV2314IDGKRG4.A	文件：1.49977 Mbytes Page：41 Pages	TLVx314 3-MHz, Low-Power, Internal EMI Filter, RRIO, Operational Amplifier 1 Features 1• Low Offset Voltage: 0.75 mV (typ) • Low Input Bias Current: 1 pA (typ) • Wide Supply Range: 1.8 V to 5.5 V • Rail-to-Rail Input and Output • Gain Bandwidth: 3 MHz • Low IQ: 250 μA/Ch (max) • Low Noise: 16 nV/√Hz at 1 kHz • Internal RF/EMI Filter • Extended Temperature Range: 文件：1.49977 Mbytes 页数：41 Pages	TI 德州仪器	TI
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TLV2314IDGKRG4.B	文件：1.49977 Mbytes Page：41 Pages	TLVx314 3-MHz, Low-Power, Internal EMI Filter, RRIO, Operational Amplifier 1 Features 1• Low Offset Voltage: 0.75 mV (typ) • Low Input Bias Current: 1 pA (typ) • Wide Supply Range: 1.8 V to 5.5 V • Rail-to-Rail Input and Output • Gain Bandwidth: 3 MHz • Low IQ: 250 μA/Ch (max) • Low Noise: 16 nV/√Hz at 1 kHz • Internal RF/EMI Filter • Extended Temperature Range: 文件：1.49977 Mbytes 页数：41 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV2314IDGKT	文件：1.49976 Mbytes Page：41 Pages	TLVx314 3-MHz, Low-Power, Internal EMI Filter, RRIO, Operational Amplifier 1 Features 1. Low Offset Voltage: 0.75 mV (typ) . Low Input Bias Current: 1 pA (typ) . Wide Supply Range: 1.8 V to 5.5 V . Rail-to-Rail Input and Output . Gain Bandwidth: 3 MHz . Low IQ: 250 μA/Ch (max) . Low Noise: 16 nV/√Hz at 1 kHz . Internal RF/EMI Filter . Extended Temperature Range: 文件：1.49976 Mbytes 页数：41 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV2314IDGKT.A	文件：1.49976 Mbytes Page：41 Pages	TLVx314 3-MHz, Low-Power, Internal EMI Filter, RRIO, Operational Amplifier 1 Features 1. Low Offset Voltage: 0.75 mV (typ) . Low Input Bias Current: 1 pA (typ) . Wide Supply Range: 1.8 V to 5.5 V . Rail-to-Rail Input and Output . Gain Bandwidth: 3 MHz . Low IQ: 250 μA/Ch (max) . Low Noise: 16 nV/√Hz at 1 kHz . Internal RF/EMI Filter . Extended Temperature Range: 文件：1.49976 Mbytes 页数：41 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV2314IDGKT.B	文件：1.49976 Mbytes Page：41 Pages	TLVx314 3-MHz, Low-Power, Internal EMI Filter, RRIO, Operational Amplifier 1 Features 1. Low Offset Voltage: 0.75 mV (typ) . Low Input Bias Current: 1 pA (typ) . Wide Supply Range: 1.8 V to 5.5 V . Rail-to-Rail Input and Output . Gain Bandwidth: 3 MHz . Low IQ: 250 μA/Ch (max) . Low Noise: 16 nV/√Hz at 1 kHz . Internal RF/EMI Filter . Extended Temperature Range: 文件：1.49976 Mbytes 页数：41 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV2314IDR	文件：1.49976 Mbytes Page：41 Pages	丝印：V2314；Package：SOIC(D)；TLVx314 3-MHz, Low-Power, Internal EMI Filter, RRIO, Operational Amplifier 1 Features 1. Low Offset Voltage: 0.75 mV (typ) . Low Input Bias Current: 1 pA (typ) . Wide Supply Range: 1.8 V to 5.5 V . Rail-to-Rail Input and Output . Gain Bandwidth: 3 MHz . Low IQ: 250 μA/Ch (max) . Low Noise: 16 nV/√Hz at 1 kHz . Internal RF/EMI Filter . Extended Temperature Range: 文件：1.49976 Mbytes 页数：41 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Rail-to-rail：
In
GBW (Typ) (MHz)：
3
Slew rate (Typ) (V/us)：
1.5
Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)：
3
Iq per channel (Typ) (mA)：
0.15
Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)：
16
Rating：
Catalog
Operating temperature range (C)：
-40 to 125
Offset drift (Typ) (uV/C)：
2
Features：
Cost Optimized
CMRR (Typ) (dB)：
96
Output current (Typ) (mA)：
20
Architecture：
CMOS

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