TLVx314 3-MHz, Low-Power, Internal EMI Filter, RRIO, Operational Amplifier

1 Features 1. Low Offset Voltage: 0.75 mV (typ) . Low Input Bias Current: 1 pA (typ) . Wide Supply Range: 1.8 V to 5.5 V . Rail-to-Rail Input and Output . Gain Bandwidth: 3 MHz . Low IQ: 250 μA/Ch (max) . Low Noise: 16 nV/√Hz at 1 kHz . Internal RF/EMI Filter . Extended Temperature Range:

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3-MHz, Low-Power, Internal EMI Filter, RRIO, Operational Amplifier

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3-MHz, Low-Power, Internal EMI Filter, RRIO, Operational Amplifier

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Dual, 5.5-V, 3-MHz, RRIO operational amplifier

TLV314 系列单通道、双通道和四通道运算放大器代表了新一代的低功耗、通用运算放大器。该系列器件具有轨到轨输入和输出摆幅 (RRIO)、低静态电流（5V 时的典型值为 150µA/通道）以及 3MHz 的高带宽等特性。 对于电池供电应用而言，一般要求性能和成本良好均衡， 此类放大器非常具有吸引力。此外，TLV314 系列架构可实现低至 1pA 的输入偏置电流，因此适用于 源阻抗 高达兆欧姆级别的应用。\n\nTLV314 器件采用稳健耐用的设计，方便电路设计人员使用：单位增益稳定，具有 RRIO 和集成的 RF/EMI 抑制滤波器，容性负载最高达 300 pF，在过驱情况下不出现反相，并且带 • 低偏移电压：0.75mV（典型值）\n• 低输入偏置电流：1pA（典型值）\n• 宽电源电压范围：1.8V 至 5.5V\n• 轨到轨输入和输出\n• 增益带宽：3MHz\n• 低 IQ：250µA/通道（最大值）\n• 低噪声：1kHz 时为 16nV/√Hz\n• 内部射频 (RF) / 电磁干扰 (EMI) 滤波器\n• 扩展温度范围： -40°C 至 +125°C;

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TLVx314 3-MHz, Low-Power, Internal EMI Filter, RRIO, Operational Amplifier

1 Features 1• Low Offset Voltage: 0.75 mV (typ) • Low Input Bias Current: 1 pA (typ) • Wide Supply Range: 1.8 V to 5.5 V • Rail-to-Rail Input and Output • Gain Bandwidth: 3 MHz • Low IQ: 250 μA/Ch (max) • Low Noise: 16 nV/√Hz at 1 kHz • Internal RF/EMI Filter • Extended Temperature Range:

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TLVx314 3-MHz, Low-Power, Internal EMI Filter, RRIO, Operational Amplifier

1 Features 1. Low Offset Voltage: 0.75 mV (typ) . Low Input Bias Current: 1 pA (typ) . Wide Supply Range: 1.8 V to 5.5 V . Rail-to-Rail Input and Output . Gain Bandwidth: 3 MHz . Low IQ: 250 μA/Ch (max) . Low Noise: 16 nV/√Hz at 1 kHz . Internal RF/EMI Filter . Extended Temperature Range:

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TLVx314 3-MHz, Low-Power, Internal EMI Filter, RRIO, Operational Amplifier

1 Features 1. Low Offset Voltage: 0.75 mV (typ) . Low Input Bias Current: 1 pA (typ) . Wide Supply Range: 1.8 V to 5.5 V . Rail-to-Rail Input and Output . Gain Bandwidth: 3 MHz . Low IQ: 250 μA/Ch (max) . Low Noise: 16 nV/√Hz at 1 kHz . Internal RF/EMI Filter . Extended Temperature Range:

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TLVx314 3-MHz, Low-Power, Internal EMI Filter, RRIO, Operational Amplifier

1 Features 1• Low Offset Voltage: 0.75 mV (typ) • Low Input Bias Current: 1 pA (typ) • Wide Supply Range: 1.8 V to 5.5 V • Rail-to-Rail Input and Output • Gain Bandwidth: 3 MHz • Low IQ: 250 μA/Ch (max) • Low Noise: 16 nV/√Hz at 1 kHz • Internal RF/EMI Filter • Extended Temperature Range:

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TLVx314 3-MHz, Low-Power, Internal EMI Filter, RRIO, Operational Amplifier

1 Features 1• Low Offset Voltage: 0.75 mV (typ) • Low Input Bias Current: 1 pA (typ) • Wide Supply Range: 1.8 V to 5.5 V • Rail-to-Rail Input and Output • Gain Bandwidth: 3 MHz • Low IQ: 250 μA/Ch (max) • Low Noise: 16 nV/√Hz at 1 kHz • Internal RF/EMI Filter • Extended Temperature Range:

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TLVx314 3-MHz, Low-Power, Internal EMI Filter, RRIO, Operational Amplifier

1 Features 1. Low Offset Voltage: 0.75 mV (typ) . Low Input Bias Current: 1 pA (typ) . Wide Supply Range: 1.8 V to 5.5 V . Rail-to-Rail Input and Output . Gain Bandwidth: 3 MHz . Low IQ: 250 μA/Ch (max) . Low Noise: 16 nV/√Hz at 1 kHz . Internal RF/EMI Filter . Extended Temperature Range:

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