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ADG719BRT	文件：117.31 Kbytes Page：8 Pages	CMOSLowVoltage4ohmSPDTSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG719isamonolithicCMOSSPDTswitch.Thisswitchisdesignedonasubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. TheADG719canoperatefromasingle-supplyrangeof1.8Vto5.5V,ma	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG719BRT-REEL	文件：232.85 Kbytes Page：16 Pages	CMOS1.8Vto5.5V,2.5廓2:1Mux/SPDTSwitchinSOT-23	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG719BRTZ-REEL	文件：232.85 Kbytes Page：16 Pages	CMOS1.8Vto5.5V,2.5廓2:1Mux/SPDTSwitchinSOT-23	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG719-EP	文件：271.76 Kbytes Page：12 Pages	CMOS1.8Vto5.5V,2.5廓2:1Mux/SPDTSwitchinSOT-23 GENERALDESCRIPTION TheADG719-EPisamonolithicCMOSSPDTswitch.Thisswitchisdesignedonasubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. TheADG719-EPcanoperatefromasingle-supplyrangeof1.8Vto5.5	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AN719	文件：4.03834 Mbytes Page：40 Pages	PRECISION32??IDEANDAPPBUILDERDETAILEDTUTORIALANDWALKTHROUGH PRECISION32™MCUDEVELOPMENTKITQUICK-STARTGUIDEFORKITSFEATURINGTHEUNIFIEDDEVELOPMENTPLATFORM(UDP) ThePrecision32™MCUDevelopmentKitsareavailableinalowcostDevelopmentKitandafullyfeaturedEnhancedDevelopmentKit.Kitcontentsaredescribedbelow.Alldevelopmentkitsc	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
AN719	文件：593.99 Kbytes Page：2 Pages	PRECISION32??MCUDEVELOPMENTKITQUICK-STARTGUIDE PRECISION32™MCUDEVELOPMENTKITQUICK-STARTGUIDEFORKITSFEATURINGTHEUNIFIEDDEVELOPMENTPLATFORM(UDP) ThePrecision32™MCUDevelopmentKitsareavailableinalowcostDevelopmentKitandafullyfeaturedEnhancedDevelopmentKit.Kitcontentsaredescribedbelow.Alldevelopmentkitsc	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
AP719	文件：175.82 Kbytes Page：2 Pages	10TO700MHzTO-8CASCADABLEAMPLIFIER	TELEDYNE Teledyne Technologies Incorporated	TELEDYNE
BD719	文件：103.6 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=40@IC=0.5A •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=60V(Min) •ComplementtotypeBD720 APPLICATIONS •Designedforuseinaudiooutputandgeneralpurposeamplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD719	文件：129.63 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=40@IC=0.5A •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=60V(Min) •ComplementtotypeBD720 APPLICATIONS •Designedforuseinaudiooutputandgeneralpurposeamplifierapplications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BY719	文件：188.97 Kbytes Page：3 Pages	Veryfasthigh-voltagesoft-recoveryrectifiers	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TLP719F(ABB-TPF)供应商更新时间2025-5-14 9:22:00

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