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4279	文件：35.16 Kbytes Page：1 Pages	BantamPlugCableAssembly	POMONA Pomona Electronics	POMONA
4279	文件：93.07 Kbytes Page：1 Pages	NylonKayakClips	Heyco Heyco	Heyco
4279N	文件：35.16 Kbytes Page：1 Pages	BantamPlugCableAssembly	POMONA Pomona Electronics	POMONA
CED4279	文件：800.6 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES 40V,14A,RDS(ON)=32mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-252-4Lpackage. RDS(ON)=46mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired. -40V,-9A,RDS(ON)=72mW@VGS=10V. RDS(ON)=110mW@VGS=4.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED4279	文件：685.37 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES ■40V,14A,RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=46mΩ@VGS=4.5V. ■-40V,-9A,RDS(ON)=72mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=110mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapabil	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEM4279	文件：919.21 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) 40V,6.1A,RDS(ON)=32mW@VGS=10V. FEATURES RDS(ON)=46mW@VGS=4.5V. -40V,-4.3A,RDS(ON)=66mW@VGS=-10V. RDS(ON)=105mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisa	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM4279	文件：493.84 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES ■40V,6.1A,RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=46mΩ@VGS=4.5V. ■-40V,-4.3A,RDS(ON)=66mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=105mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapabil	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU4279	文件：685.37 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES ■40V,14A,RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=46mΩ@VGS=4.5V. ■-40V,-9A,RDS(ON)=72mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=110mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapabil	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU4279	文件：800.6 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES 40V,14A,RDS(ON)=32mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-252-4Lpackage. RDS(ON)=46mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired. -40V,-9A,RDS(ON)=72mW@VGS=10V. RDS(ON)=110mW@VGS=4.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
LTC4279	文件：2.45656 Mbytes Page：34 Pages	12-/24-/48-PortIEEE802.3atPoEPSEController DESCRIPTION TheLTC®9101-2A/LTC9102chipsetisa(upto)48-portpower sourcingequipment(PSE)controllerdesignedforuseinIEEE 802.3atType1and2compliantPoweroverEthernet(PoE)systems. TheLTC9101-2A/LTC9102isdesignedtopowercompliant 802.3afand802.3atPDs.TheLTC9101-2A/L	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LTC4279	文件：473.08 Kbytes Page：10 Pages	SinglePortPoE/PoE/LTPoEPSEController	LINERLinear Technology 线性技术公司	LINER
LTC4279	文件：1.61385 Mbytes Page：40 Pages	4-PortIEEE802.3btPoEPSEController	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LTC4279	文件：3.42057 Mbytes Page：50 Pages	48-PortIEEE802.3btPoEPSEController	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LTC4279	文件：3.24194 Mbytes Page：44 Pages	12/24-PortIEEE802.3btPoEPSEController DESCRIPTION TheLTC®9101-2chipsetisa12/24-portpowersourcing equipment(PSE)controllerdesignedforuseinIEEE802.3bt Type3and4compliantPoweroverEthernet(PoE)systems. TheLTC9101-2/LTC9102isdesignedtopowercompliant 802.3af,802.3at,and802.3btPDs.TheLTC9101-2/LTC9102	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
NCV4279	文件：102.45 Kbytes Page：12 Pages	5.0VMicropower150mALDOLinearRegulatorwithDELAY,AdjustableRESET,andMonitorFLAG	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCV4279	文件：3.80862 Mbytes Page：4 Pages	AC-DCOfflineSwitchingControllers/Regulators	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	TLE4279G其他IC	INFINEON/英飞凌	21+	SOP-8	50000	终端可免费提供样品,欢迎咨询	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	TLE4279G其他IC	INFINEON/英飞凌	23+	SOP-8	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多TLE4279G其他IC供应商更新时间2024-6-2 13:00:00

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