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TLC271B	文件：1.21853 Mbytes Page：74 Pages	LinCMOSE PROGRAMMABLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.21853 Mbytes 页数：74 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC271B	文件：1.35574 Mbytes Page：82 Pages	LinCMOSE PROGRAMMABLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.35574 Mbytes 页数：82 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC271B	文件：1.93445 Mbytes Page：83 Pages	LinCMOS PROGRAMMABLE LOW-POWER TIONAL AMPLIFIERS 文件：1.93445 Mbytes 页数：83 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC271B	文件：2.36894 Mbytes Page：84 Pages	LinCMOS PROGRAMMABLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：2.36894 Mbytes 页数：84 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC271BCS-13	文件：2.86227 Mbytes Page：51 Pages	CMOS PROGRAMMABLE LOW POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS Description The TLC271 operational amplifier combines a wide range of input offset voltage grades with low offset voltage drift and high input impedance. In addition, the TLC271 offers a bias-select mode that allows the user to select the best combination of power dissipation and AC performan 文件：2.86227 Mbytes 页数：51 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
TLC271BIS-13	文件：2.86227 Mbytes Page：51 Pages	CMOS PROGRAMMABLE LOW POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS Description The TLC271 operational amplifier combines a wide range of input offset voltage grades with low offset voltage drift and high input impedance. In addition, the TLC271 offers a bias-select mode that allows the user to select the best combination of power dissipation and AC performan 文件：2.86227 Mbytes 页数：51 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
TLC271BCD	文件：2.36894 Mbytes Page：84 Pages	丝印：271BC；Package：SOIC；LinCMOS PROGRAMMABLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：2.36894 Mbytes 页数：84 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC271BCD	文件：1.93445 Mbytes Page：83 Pages	LinCMOS PROGRAMMABLE LOW-POWER TIONAL AMPLIFIERS 文件：1.93445 Mbytes 页数：83 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC271BCD	文件：1.35574 Mbytes Page：82 Pages	LinCMOSE PROGRAMMABLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.35574 Mbytes 页数：82 Pages	TI 德州仪器	TI
TLC271BCD	文件：1.21853 Mbytes Page：74 Pages	LinCMOSE PROGRAMMABLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.21853 Mbytes 页数：74 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Rail-to-rail：
In to V-
GBW (Typ) (MHz)：
2
Slew rate (Typ) (V/us)：
3.6
Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)：
2
Iq per channel (Typ) (mA)：
0.675
Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)：
25
Rating：
Catalog
Operating temperature range (C)：
0 to 70
Offset drift (Typ) (uV/C)：
1.8
Features：
Shutdown
Input bias current (Max) (pA)：
60
CMRR (Typ) (dB)：
80
Output current (Typ) (mA)：
10
Architecture：
CMOS

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