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CDC2582	文件：143.39 Kbytes Page：10 Pages	3.3-VPHASE-LOCKLOOPCLOCKDRIVERWITHDIFFERENTIALLVPECLCLOCKINPUTS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
CDC2582PAH	文件：143.39 Kbytes Page：10 Pages	3.3-VPHASE-LOCKLOOPCLOCKDRIVERWITHDIFFERENTIALLVPECLCLOCKINPUTS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
EVAL-ADM2582EEBZ	文件：580.63 Kbytes Page：20 Pages	SignalandPowerIsolatedRS-485Transceiverwith짹15kVESDProtection DigitalisolatorswithiCoupler®technologyenabledesignerstoimplementisolationindesignswithoutthecost,size,power,performance,andreliabilityconstraintsfoundwithoptocouplers.iCouplerdigitalisolatorsalsomeetthewiderangeofcreepage/clearancerequirementsandaretheindustr	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
EVAL-ADM2582EEBZ	文件：518.24 Kbytes Page：22 Pages	SignalandPowerIsolatedRS-485Transceiverwith짹15kVESDProtection GENERALDESCRIPTION TheADM2582E/ADM2587Earefullyintegratedsignalandpowerisolateddatatransceiverswith±15kVESDprotectionandaresuitableforhighspeedcommunicationonmultipointtransmissionlines.TheADM2582E/ADM2587Eincludeanintegratedisolateddc-to-dcpowersupply,whiche	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
EVAL-ADM2582EEMIZ	文件：518.24 Kbytes Page：22 Pages	SignalandPowerIsolatedRS-485Transceiverwith짹15kVESDProtection GENERALDESCRIPTION TheADM2582E/ADM2587Earefullyintegratedsignalandpowerisolateddatatransceiverswith±15kVESDprotectionandaresuitableforhighspeedcommunicationonmultipointtransmissionlines.TheADM2582E/ADM2587Eincludeanintegratedisolateddc-to-dcpowersupply,whiche	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
FDD2582	文件：685.83 Kbytes Page：4 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=150V,ID=20A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDD2582	文件：299.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=21A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=66mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD2582	文件：268.34 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET150V,21A,66m Features •rDS(ON)=58mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=7A •Qg(tot)=19nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 Applications •DC/DCconvertersandOff-LineUPS •DistributedPowerArchitectures	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS2582	文件：283.44 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET150V,4.1A,66m?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS2582-NL	文件：990.23 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel150V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市欧立现代科技有限公司	TLC25L02CD	ti	24+	SOP8	6868	原装现货,可开13%税票	询价
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