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TLC084IPWPRG4

FAMILY OF WIDE BANDWIDTH HIGH OUTPUT DRIVE SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS

文件:1.45418 Mbytes 页数:52 Pages

TI

德州仪器

TLC084-Q1

FAMILY OF WIDE-BANDWIDTH HIGH-OUTPUT-DRIVE SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS

文件:2.10169 Mbytes 页数:53 Pages

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TLC084-Q1

Wide-Bandwidth High-Output-Drive Single-Supply Operational Amplifiers

文件:1.59517 Mbytes 页数:38 Pages

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TLC084QPWPRQ1

WIDE-BANDWIDTH HIGH-OUTPUT-DRIVE SINGLE-SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS

文件:778.08 Kbytes 页数:31 Pages

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TLC084QPWPRQ1

Wide-Bandwidth High-Output-Drive Single-Supply Operational Amplifiers

文件:1.59517 Mbytes 页数:38 Pages

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TLC084A

四路、16V、10MHz、1.4mV 失调电压、输入接近 V- 的运算放大器

The first members of TI’s new BiMOS general-purpose operational amplifier family are the TLC08x. The BiMOS family concept is simple: provide an upgrade path for BiFET users who are moving away from dual-supply to single-supply systems and demand higher ac and dc performance. With performance rated f • Wide Bandwidth: 10 MHz\n• IOH: 57 mA at VDD – 1.5 V\n• High Slew Rate: \n• SR–: 19 V/µs\n• Wide Supply Range: 4.5 V to 16 V\n• Ultralow Power Shutdown Mode: \n• Low Input Noise Voltage: 8.5 nV√Hz\n• Ultra-Small Packages: \n• 8- or 10-Pin MSOP (TLC080/1/2/3)\n \n PowerPAD is a trademark of Texas I;

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TLC084-Q1

汽车级四路 16V 10MHz 运算放大器

TLC08x-Q1 是首款以应用 TI BiCMOS 技术为亮点的通用运算放大器。BiMOS 系列的理念非常简单:那就是为准备从双电源过渡到单电流系统同时需要更高交流和直流性能的 BiFET 用户提供一条升级途径。凭借在整个汽车工作温度范围内(–40°C 至 125°C),在 4.5V 至 16V 额定电压下所提供的出色性能,BiMOS 适合各种音频、汽车、工业和仪表 应用。 \n\nBiMOS 放大器采用 TI 获得专利的 LBC3 BiCMOS 工艺进行开发,它将极高的输入阻抗、低噪声 CMOS 前端与高驱动双极输出级相结合,因而在两方面都实现了最佳性能 特性 。与 TL08x-Q1 Bi • 宽带宽:10MHz\n• IOH:–1.5V VDD 时为 57mA\n• 高压摆率 \n• SR−:19V/µs\n• 宽电源电压范围:4.5V 至 16V\n• 低输入噪声电压:8.5nV/√Hz \n• 适用于 TLC082-Q1 的超小型 8 引脚 MSOP-PowerPAD 封装;

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技术参数

  • Rail-to-rail:

    In to V-

  • GBW (Typ) (MHz):

    10

  • Slew rate (Typ) (V/us):

    16

  • Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV):

    1.9

  • Iq per channel (Typ) (mA):

    1.8

  • Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz):

    8.5

  • Rating:

    Catalog

  • Operating temperature range (C):

    -40 to 125

  • Offset drift (Typ) (uV/C):

    1.2

  • Features:

    —

  • Input bias current (Max) (pA):

    50

  • CMRR (Typ) (dB):

    110

  • Output current (Typ) (mA):

    100

  • Architecture:

    CMOS

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