TK9R6E15Q5中文资料东芝数据手册PDF规格书

厂商型号	TK9R6E15Q5
功能描述	MOSFETs Silicon N-channel MOS
丝印标识	K9R6E15Q5
封装外壳	TO-220
文件大小	526.15 Kbytes
页面数量	9 页
生产厂商	Toshiba Semiconductor
企业简称	TOSHIBA【东芝】
中文名称	株式会社东芝官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-8-2 15:01:00
人工找货	TK9R6E15Q5价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

Applications

• High-Efficiency DC-DC Converters

• Switching Voltage Regulators

• Motor Drivers

特性 Features

(1) Fast reverse recovery time: trr = 40 ns (typ.)

(2) Small reverse recovery charge : Qrr = 32 nC (typ.)

(3) Small gate charge: QSW = 17 nC (typ.)

(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 7.9 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(5) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 150 V)

(6) Enhancement mode: Vth = 3.1 to 4.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.1 mA)