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TK80E08K3	文件：311.32 Kbytes Page：6 Pages	Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U?묺OS?? ■ E-Bike/UPS/Inverter ● Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 7.5 mΩ (typ.) ● High forward transfer admittance : \|Yfs\| = 135 S (typ.) ● Low leakage current : IDSS = 10 µA (max) (VDS = 75 V) ● Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：311.32 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK80E08K3	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	Toshiba 东芝	Toshiba
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更多TK80E08K3供应商更新时间2024-3-26 15:06:00