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TK80E06K3A	文件：241.38 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETsSiliconN-channelMOS(U-MOS?? Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=4.8mΩ(typ.) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=10µA(max)(VDS=60V) (3)Enhancementmode:Vth=3.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA) Applications •SwitchingVoltageRegulators	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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TK80E06K3A

文件：241.38 Kbytes

Page：9 Pages

MOSFETsSiliconN-channelMOS(U-MOS??

Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=4.8mΩ(typ.) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=10µA(max)(VDS=60V) (3)Enhancementmode:Vth=3.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA) Applications •SwitchingVoltageRegulators

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