| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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12年
留言
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TOSTO220F |
25000 |
25+ |
全新原装 现货热卖,假一赔十。 |
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4年
留言
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TOSHIBATO-220F |
12000 |
24+ |
进口原装 价格优势 |
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17年
留言
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TOSHIBATO252 |
6500 |
25+ |
十七年专营原装现货一手货源,样品免费送 |
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8年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-220 |
20000 |
24+ |
原厂原装,正品现货,假一罚十 |
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12年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-252 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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6年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-252 |
726 |
14+ |
原装进口无铅现货 |
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11年
留言
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TOSHIBA/东芝T0220F |
22000 |
25+ |
一级代理原装现货 |
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4年
留言
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TOKO/东光TO220-5 |
8540 |
24+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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12年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-220F |
60 |
1748+ |
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6年
留言
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TOSHIBA/东芝明嘉莱只做原装正品现货 |
2510000 |
13+ |
T0-220F |
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7年
留言
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TOKO/东光SOP16 |
1503 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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5年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-220F |
15000 |
23+ |
正规渠道,只有原装! |
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15年
留言
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ToshibaTO-252 |
10000 |
24+ |
公司只做原装正品!现货库存!可随时看货! |
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7年
留言
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TOSHIBA/东芝8A650 |
1500 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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3年
留言
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东芝TO-220 |
5993 |
10+ |
只做原装正品 |
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11年
留言
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TOSHIBA/东芝SOP8 |
9600 |
24+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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3年
留言
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TOSHIBA/东芝NA |
72 |
1726+ |
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13年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-220F |
9865 |
23+/24+ |
原装MOS管(场效应管). |
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12年
留言
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东芝|ToshibaTO220 |
9500 |
25+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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6年
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TOSHIBA(东芝)N/A |
12600 |
24+ |
原装正品现货支持实单 |
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TK8S06K3L(T6L1,NQ)价格
TK8S06K3L(T6L1,NQ)价格:¥2.8815品牌:Toshiba
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TK8A65D(STA4,X,M)资讯
TK8A50D
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TK868车载台参数调整及常见故障维修电路图
tk868车载台参数调整采用微电脑控制,因而在其线路结构中无可调的元器件。随着使用时间的增加,其内部参数如话音调制、功率、灵敏度等都会有所变化。当遇到这种情况时,可打开机器进入面板调试状态进行调整。 按住scan键打开电源开关,按住scan键2秒钟,可进入面板调试
TK8A65D(STA4,X,M)中文资料Alldatasheet PDF
更多TK8制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:TOOL, INSTALL,BELT KIT,8 ITEMS
TK80A08K3(Q)功能描述:MOSFET MOSFET N-ch 75V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
TK80C51FA-PI制造商:Tekmos 功能描述:REPLACES INTEL MICROCONTROLLER
TK80D08K3(Q)功能描述:MOSFET MOSFET N-ch 75V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
TK80S04K3L(T6L1,NQ功能描述:MOSFET N-Ch MOS 80A 40V 100W 4340pF 0.0031 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
TK80S06K3L(T6L1,NQ功能描述:MOSFET N-Ch MOS 80A 60V 100W 4200pF 0.0055 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
TK8A25DA制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:MOSFETs Silicon N-Channel MOS(π-MOS)
TK8A25DA,S4X(S制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-ch 250V 7.5A 30W TO-220SIS
TK8A45D(STA4,Q,M)功能描述:MOSFET N-Ch MOS 8A 450V 35W 700pF 0.9 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
TK8A45DA(STA4,Q,M)功能描述:MOSFET N-Ch MOS 7.5A 450V 35W 600pF 1.1 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube



































