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TK6Q60W	文件：280 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=6.2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.82Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：280 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK6Q60W	文件：247.14 Kbytes Page：10 Pages	Switching Voltage Regulators 文件：247.14 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK6Q60W	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Polarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中国 Drain current ID 6.2 A \nPower Dissipation PD 60 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
TK7P60W5	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO252	TOSHIBA 东芝上传：深圳市科芯源微电子有限公司	TOSHIBA
TK80E08K3	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220	TOSHIBA 东芝上传：深圳市天地昆电子有限公司	TOSHIBA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TK6Q60W供应商更新时间2026-4-17 16:36:00