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ITK6A65W	文件：288.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
K6A65D	文件：218.39 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingRegulatorApplications SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=0.95Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:⎪Yfs⎪=4.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=650V) •Enhancement-mode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK6A65D	文件：319.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.11Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK6A65D	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK6A65D	文件：218.39 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingRegulatorApplications SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=0.95Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:⎪Yfs⎪=4.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=650V) •Enhancement-mode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK6A65W	文件：385.28 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.85Ω(typ.) byusingSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.5to3.5V(VDS=10V,ID=0.18mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK6A65W	文件：288.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TRS6A65C	文件：154.59 Kbytes Page：5 Pages	SiCSchottkyBarrierDiode	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TRS6A65F	文件：277.13 Kbytes Page：6 Pages	SiCSchottkyBarrierDiode	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
TK6A65D(Q)
功能描述：
MOSFET N-ch 650V 6A TO-220SIS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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