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MD60A08J1	文件：340.67 Kbytes Page：3 Pages	GlassPassivatedRectifierDiodeModules	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
TK60A08J1	文件：190.91 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingRegulatorApplication SwitchingRegulatorApplication •High-Speedswitching •Smallgatecharge:Qg=86nC(typ.) •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=6.2mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=120S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=75V) •Enhancement-mode	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK60A08J1	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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MD60A08J1

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LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司

LEIDITECH

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SwitchingRegulatorApplication

SwitchingRegulatorApplication •High-Speedswitching •Smallgatecharge:Qg=86nC(typ.) •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=6.2mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=120S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=75V) •Enhancement-mode

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

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MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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