TK3P50D数据手册Toshiba中文资料规格书
TK3P50D规格书详情
描述 Description
Polarity：N-ch
Generation：π-MOSⅦ
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：中国
特性 Features
Drain current ID 3 A
Power Dissipation PD 60 W
Drain-Source voltage VDSS 500 V
Gate-Source voltage VGSS +/-30 V
技术参数
- 型号：
TK3P50D
- 制造商：
Toshiba America Electronic Components
- 功能描述：
MOSFET N CH 500V 3A DPAK
- 功能描述：
MOSFET, N CH, 500V, 3A, DPAK
- 功能描述：
MOSFET, N CH, 500V, 3A, DPAK; Transistor
- Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
- Id：
3A; Drain Source Voltage
- Vds：
500V; On Resistance
- Rds(on)：
2.3ohm; Rds(on) Test Voltage
- Vgs：
10V; Power Dissipation
- Pd：
60W; No. of
- Pins：
3 ;RoHS
- Compliant：
Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA |
30000 |
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TOSHIBA |
TO252 |
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TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
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TOS |
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TO-252 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TO252 |
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TOSHIBA/东芝 |
24+ |
SOT252 |
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TOSHIBA/东芝 |
24+ |
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TOSHIBA/东芝 |
24+ |
TO-252 |
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