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TK35S04K3L数据手册恩XP中文资料规格书
技术参数
- 型号:
TK35S04K3L
- 功能描述:
MOSFET N-Ch MOS 35A 40V 58W 1370pF 0.0103
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TSOHIBA |
24+ |
NA/ |
22912 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
TO-252 |
45000 |
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TOSHIBA |
1822+ |
TO-252 |
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TOSHIBA/东芝 |
2022+ |
TO-252 |
30000 |
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询价 | ||
TSOHIBA |
24+ |
TO-252 |
502960 |
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询价 | ||
VBSEMI/微碧半导体 |
24+ |
TO-220 |
7800 |
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询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
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TO-252 |
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TSOHIBA |
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TO-252 |
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TOSHIBA |
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TO-252 |
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