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TK32A12N1数据手册Toshiba中文资料规格书

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厂商型号

TK32A12N1

功能描述

Power MOSFET (N-ch single 60V VDSS 150V)

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

原厂标识
Toshiba
数据手册

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更新时间

2025-8-4 11:25:00

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TK32A12N1规格书详情

描述 Description

Application Scope:Switching regulators
Polarity:N-ch
Generation:U-MOSⅧ-H
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:中国

特性 Features

Drain current ID 60 A
Power Dissipation PD 30 W
Drain-Source voltage VDSS 120 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V

技术参数

  • 制造商编号

    :TK32A12N1

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Polarity

    :N-ch

  • VDSS(V)

    :120

  • VGSS(V)

    :+/-20

  • ID(A)

    :60

  • PD(W)

    :30

  • Ciss(pF)

    :2000

  • Qg(nC)

    :34

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V

    :0.0138

  • Number of pins

    :3

  • Surface mount package

    :N

  • Package name(Toshiba)

    :TO-220SIS

  • Generation

    :U-MOSⅧ-H

  • Type

    :High-speed switching

  • Width×Length×Height(mm)

    :10.0 x 15.0 x 4.5

  • Package Size(mm^2)

    :150.00

  • Drive voltage type

    :10V Gate Drive

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