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FQP3P50	文件：787.78 Kbytes Page：8 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-2.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.9Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Combinewiththefastswitchingspeedandruggedizeddevice design,providethedesignerwithanextremelyefficientand reli	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
TK3P50D,RDVQ(S
制造商：
Toshiba America Electronic Components

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更多TK3P50D,RDVQ(S供应商更新时间2025-5-10 15:00:00

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