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TK16A60W	文件：1.11116 Mbytes Page：10 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOSIV) Applications Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: Rpg(on) = 0.16 Q (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement mode: Vi, = 2.7t0 3.7V (Vpg = 10V, Ip = 0.79 mA) 文件：1.11116 Mbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK16A60W	文件：289.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：289.43 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK16A60W	文件：246.23 Kbytes Page：10 Pages	Switching Voltage Regulators 文件：246.23 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK16A60W,S4VXM	文件：1.11116 Mbytes Page：10 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOSIV) Applications Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: Rpg(on) = 0.16 Q (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement mode: Vi, = 2.7t0 3.7V (Vpg = 10V, Ip = 0.79 mA) 文件：1.11116 Mbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK16A60W_V01	文件：1.11116 Mbytes Page：10 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOSIV) Applications Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: Rpg(on) = 0.16 Q (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement mode: Vi, = 2.7t0 3.7V (Vpg = 10V, Ip = 0.79 mA) 文件：1.11116 Mbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK16A60W5	文件：248.31 Kbytes Page：10 Pages	丝印：K16A60W5；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Fast reverse recovery time: trr = 100 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.18 Ω (typ.) by using Super Junction Structure : DTMOS (3) Easy to control Gate switching (4) Enhancement mode: Vth = 3.0 to 4.5 V (VDS = 文件：248.31 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK16A60W5	文件：289.45 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：289.45 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK16A60W5	文件：1.15811 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET 文件：1.15811 Mbytes 页数：11 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TK16A60W	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Polarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中国 / 马来西亚 Drain current ID 15.8 A \nPower Dissipation PD 40 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
TK16A60W5	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Polarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：马来西亚 Drain current ID 15.8 A \nPower Dissipation PD 40 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
600
VGSS(V)：
+/-30
ID(A)：
15.8
PD(W)：
40
Ciss(pF)：
1350
Qg(nC)：
38
=10V：
0.19
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name(Toshiba)：
TO-220SIS
Generation：
DTMOSⅣ
Width×Length×Height(mm)：
10.0 x 15.0 x 4.5
Package Size(mm^2)：
150.00
Drive voltage type：
10V Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TK16A60W供应商更新时间2025-11-29 10:01:00

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