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TK13A50D_V01	文件：279.35 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) SwitchingRegulatorApplications Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=0.31Ω(typ.) Highforwardtransferadmittance:⎪Yfs⎪=7.5S(typ.) Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=500V) Enhancement-mode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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TK13A50D_V01

文件：279.35 Kbytes

Page：6 Pages

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)

SwitchingRegulatorApplications Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=0.31Ω(typ.) Highforwardtransferadmittance:⎪Yfs⎪=7.5S(typ.) Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=500V) Enhancement-mode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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更多TK13A50D_V01供应商更新时间2025-5-19 19:09:00

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