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TK100S04N1L	文件：285.91 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N-channel MOS (U-MOS-H) 1. Applications • Automotive • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.9 mΩ (typ.) (VGS = 10 V) (3) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V) (4) Enhancement mode: Vth = 1.5 to 2.5 V (VDS = 文件：285.91 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK100S04N1L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch single 30V VDSS 60V) Application Scope：Motor drivers / Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅧ-H\nAEC-Q101：Conform\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Drain current ID 100 A \nPower Dissipation PD 180 W \nDrain-Source voltage VDSS 40 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
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更多TK100S04N1L供应商更新时间2026-1-28 14:14:00